HPPD系列非制冷型光电探测器是一种高灵敏度光电探测器，兼容Si（硅）、InGaAs（铟镓砷）、HgCdTe（碲镉汞，MCT）、铟砷锑等半导体光电二极管，对0.4~12um的光谱波段光波敏感。 该探测器是直流耦合输出，含低噪声、宽带宽的前置运放，探测器外壳采用全铝合金材料，即可起到屏蔽环境电磁干扰，也具备良好的散热性能。

高速碲镉汞（MCT）制冷型光电探测器是一种HgCdTe（碲镉汞，MCT）材料制备的高灵敏度光电探测器，这种材料对2~12um的中红外光谱波段光波敏感。本产品为有高速信号探测需求的应用特殊定制，能够满足最高到100MHz高频信号输出。

前置放大制冷一体型碲镉汞光电探测器是一种HgCdTe（碲镉汞，MCT）材料制备的高灵敏度光电探测器，这种材料对2~12um的中红外光谱波段光波敏感。 该探测器可以是直流或交流耦合输出。探测器与前置放大电路，半导体热电冷却器（TEC）控制器高度集成，通过反馈电路将探测器元件的温度控制在负四十摄氏度，从而将热噪声对输出信号的影响小化。